Смартфони Samsung отримають модуль вбудованої пам’яті на 1 ТБ

Samsung повідомила, що готова до випуску пристроїв з 1 ТБ вбудованої пам’яті. Південнокорейська компанія анонсувала чіп eUFS 2.1, здатний працювати з таким об’ємом даних.

Система має ті ж розміри, що і модель eUFS 2.1 на 512 гігабайт – 11,5 × 13 мм. Також, Samsung стверджує, що чіп дозволить здійснювати послідовне читання з максимальною швидкістю 1000 МБ / с, а настуний запис – з 260 МБ / с.

На початку 2019 року з’явилися чутки, що нова флагманська серія виробника Galaxy S і перший складаний смартфон Galaxy F можуть отримати 1 ТБ ПЗУ. Якщо в них буде вбудований чіп eUFS 2.1, то чутки підтвердяться.

Samsung вже розповіла, коли покаже свої нові пристрої. Це відбудеться 20 лютого на заході Galaxy Unpacked 2019  в Сан Франциско і Лондоні.