Samsung представила нову пам’ять для смартфонів

У рамках конференції Qualcomm 4G / 5G Summit в Гонконзі глава з планування мобільних продуктів Samsung Джей Ох розповів про досягнення компанії в області виробництва пам’яті. За його словами, вже в наступному році з’являться пристрої з флеш-пам’яттю стандарту Unified File Storage (UFS) третього покоління. Крім того, Джей Ох розкрив подробиці оперативної пам’яті типу LPDDR5.

У порівнянні з використовуваною зараз в топових смартфонах флеш-пам’яттю UFS 2.1 новий стандарт UFS 3.0 має вдвічі більшу пропускну здатність – до 12 Гбіт / с на лінію. Досягнення в області виробництва 3D-NAND дозволили Samsung зробити нові чіпи пам’яті таких фізичних розмірів, як і старі. З початку 2019 року ці фірми будуть випускатися у варіантах на 128, 256 і 512 ГБ. Крім того, до 2021-го Samsung має намір налагодити виробництво чіпів об’ємом 1 ТБ.

Що стосується оперативної пам’яті LPDDR5, її пропускна здатність у порівнянні з минулим поколінням виросте з 44 ГБ / с до 51,2 ГБ / с. При цьому енергоспоживання вдалося знизити на 20%.

Масове виробництво пам’яті LPDDR5 заплановано на 2020 рік.